Реєстраційний номер
2120U011731, Матеріали видань та локальних репозитаріїв
Категорія
Стаття
Назва роботи
Тензореактивний ефект у польових транзисторах
Tenzoreactive effect in field-effect transistors
Автор
Осадчук О. В.
Осадчук В. С.
Осадчук Я. О.
Osadchuk A. V.
Osadchuk V. S.
Osadchuk I. A.
Osadchuk A. V.
Osadchuk V. S.
Osadchuk I. A.
Дата публікації
01-01-2020
Постачальник інформації
Вінницький національний технічний університет
Першоджерело
http://ir.lib.vntu.edu.ua/handle/123456789/34171
Видання
Хмельницький національний університет
Опис
В статті представлено розробку та дослідження елементів теорії тензореактивного ефекту в польових тензочутливих транзисторах. Розроблено математичні моделі тензореактивного ефекту, які відрізняються від існуючих тим, що в них враховано вплив тиску на активну і реактивну складові повного опору тензочутливих польових транзисторів, які визначають залежність частоти генерації радіовимірювальних частотних перетворювачів від дії тиску. Проведені теоретичні та експериментальні дослідження показали, що активна складова повного опору польового транзистора змінюється на 8,86 Ом/105 Па, а реактивна складова повного опору змінюється на 8,52 Ом/105Па при зміні тиску на 2,5 ·105 Па. Отримані зміни повного опору від дії тиску є достатньо суттєвими для використання польових транзисторів як первинних тензочутливих елементів в радіовимірювальних частотних перетворювачах тиску. В результаті математичного моделювання отримано аналітичні вирази, які можна використати для інженерного розрахунку функції перетворення, рівняння чутливості та інших характеристик радіовимірювальних частотних перетворювачів тиску на основі польових тензочутливих транзисторів.
Додано/оновлено в НРАТ
2026-11-02
