Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 2121U002203, Матеріали видань та локальних репозитаріїв Категорія Стаття Назва роботи ALD Grown Al2O3 as Interfacial Layer in ITO Based SIS Solar Cells Автор Дата публікації 01-01-2021 Постачальник інформації Сумський державний університет Першоджерело https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/84233 Видання Sumy State University Опис Звичайний процес дифузії для формування емітера сонячного елементу c-Si – це складний процес з високими тепловими та матеріальними витратами. Альтернативою для уникнення цього процесу є створення структурованих сонячних елементів MIS/SIS, де для формування емітерної частини сонячного елементу використовується інший процес. У дослідженні розроблено структурований елемент SIS розміром 3 × 3 (ITO-Al2O3-n-Si), де n-Si є вихідним матеріалом, Al2O3 та шар ITO виконують відповідно ролі селективного шару дірок та емітерного шару. Розпилений шар ITO товщиною 150 нм виконує роль виродженого напівпровідника так само як і ARC. Для сонячного елементу, вкритого шаром ITO, середня відбивна здатність зменшується з 13,63 % до 4,54 % порівняно з лише текстурованим елементом. Металізація проводиться за допомогою Ag з обох боків на лицьовій стороні над шаром ITO і постійним контактом на тильній стороні блоком для нанесення вакуумного покриття. Окрім тунелювання дірок, дуже тонкий шар Al2O3 (1,5 нм), вирощений методом ALD, виступає в ролі пасиваційного шару і збільшує час життя неосновних носіїв заряду з 9,732 мкс до 17,548 мкс. Досягнуті напруга холостого ходу (Voc) і струм короткого замикання (Isc) становлять відповідно 684 мВ і 35 мА. Conventional diffusion process to form the emitter of a c-Si solar cell is a complicated process with high thermal as well as economic budget. An alternative to avoid this process is to form MIS/SIS structured solar cells, where different process is used to form the emitter portion of the cell. In this study, 3 × 3 (ITOAl2O3-n-Si) structured SIS cell is developed, where n-Si is the base material, Al2O3 and ITO layer act as hole selective layer and emitter layer, respectively. Sputtered ITO layer of thickness 150 nm acts as a degenerative semiconductor as well as ARC. For ITO coated cell, average reflectance reduced to 4.54 % from 13.63% compared with only textured cell. Metallization is done using Ag on both the sides on the front side above the ITO layer and a continuous contact on the back side by vacuum coating unit. Apart from hole tunnelling, ALD grown very thin 1.5 nm layer of Al2O3 acts as a passivation layer and increases minority carrier lifetime from 9.732 µS to 17.548 µS. Achieved open circuit voltage (Voc) and short circuit current (Isc) are 684 mV and 35 mA, respectively. Додано в НРАТ 2025-03-24 Закрити