Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 2121U002257, Матеріали видань та локальних репозитаріїв Категорія Стаття Назва роботи Solid-state Dewetting Formation of In/InTe Nanosystem Автор Дата публікації 01-01-2021 Постачальник інформації Сумський державний університет Першоджерело https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/85316 Видання Sumy State University Опис Для формування наносистеми In/InTe застосовано метод вторинного твердотільного змочування як перспективний спосіб отримання наноструктур. Фазово-елементний склад та структурна досконалість вихідної поверхні InTe характеризувались методами Х-променевої фотоелектронної спектроскопії, дифракції повільних електронів та атомно-силової мікроскопії. Методом дифракційного Х-променевого структурного і фазового аналізів встановлено тетрагональну кристалічну структуру InTe типу TlSe (просторова група I4/mcm, параметри гратки a = 8,4414(6) Å, c = 7,1333(5) Å). Дослідження за допомогою скануючої тунельної мікроскопії вихідної поверхні InTe (001), як такої, що використовується як упорядкований шаблон після термічного осадження індію, показують, що форма та розташування індукованих індієм наноструктур визначаються квадратною симетрією поверхневої гратки, що визначається тетрагональною об'ємною граткою InTe. Встановлено утворення нанорозмірних 0D-структур в результаті процесу вторинного твердотільного змочування внаслідок нагрівання поверхні вище температури плавлення індію. Скануюча тунельна спектроскопія виявляє кореляцію між кінетикою покриття індієм та збільшенням на поверхні InTe (001) величини густини станів у забороненій зоні InTe. Solid-state dewetting (SSD) method as a promising way to obtain nanostructures was applied for the formation of In/InTe nanosystem. The phase-elemental composition and structural perfection of the initial InTe surface were characterized by X-ray photoelectron spectroscopy, low energy electron diffraction (LEED) and atomic force microscopy (AFM). X-ray diffraction (XRD) studies revealed the InTe tetragonal crystal structure of the TlSe type (I4/mcm space group, lattice parameters a = 8.4414(6) Å, c = 7.1333(5) Å). Scanning tunneling microscopy (STM) studies of the initial InTe (001) surface and the same one used as an ordered template after thermal indium deposition showed that the shape and arrangement of indiuminduced nanostructures are powered by square surface lattice symmetry as derived from a tetragonal InTe bulk one. We observed the formation of nanosized 0D structures as a result of the SSD process due to surface heating above the indium melting point. The scanning tunnelling spectroscopy (STS) revealed correlation between indium coverage kinetics and an increase in the amount of density of states (DOS) at the surface within the band gap of InTe. Додано в НРАТ 2025-03-24 Закрити