Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 2121U002373, Матеріали видань та локальних репозитаріїв Категорія Стаття Назва роботи Performance Analysis of Gate All Around (GAA) MOSFET at Cryogenic Temperature for the Sub-Nanometer Regime Автор Дата публікації 01-01-2021 Постачальник інформації Сумський державний університет Першоджерело https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/86582 Видання Sumy State University Опис У роботі розглядається GAA MOSFET n-типу з різними довжинами затвора від 90 до 12 нм. Температурно-залежне моделювання проводиться з метою детального дослідження електричних характеристик. Діапазон температур, використаний у роботі, варіюється від 6 до 700 К, включаючи кріогенну температуру, і досліджується поведінка GAA MOSFET як напівпровідникового пристрою наступного покоління для квантових обчислювальних систем. Реалізація апаратного квантового процесора потребує інтеграції CMOS-контролера та схеми інтерфейсу зчитування, яка працюватиме при кріогенній температурі (6 К). У роботі досліджується критична поведінка струму стоку при кріогенній температурі та при нормальній кімнатній температурі. Проводиться порівняльний аналіз для вивчення впливу температури на продуктивність приладу. Запропонований пристрій при кріогенній температурі може працювати належним чином і стати передовим пристроєм для майбутніх квантових обчислювальних систем. In this work, an n-type gate all around (GAA) MOSFET with various gate lengths from 90 to 12 nm is considered for simulation. The temperature dependent simulation is carried out in order to investigate the electrical characteristics extensively. The temperature range used in this work varies from 6 to 700 K, including cryogenic temperature, and the behavior of the GAA MOSFET as a next generation semiconductor device for quantum computing systems is investigated. The implementation of a hardware-based quantum processor needs the integration of a CMOS controller and read-out interface circuit that will operate at cryogenic temperature (6 K). In this work, we investigate the critical behavior of the drain current at cryogenic temperature and normal room temperature. А comparative analysis is carried out to study the effect of temperature on the device performance. Тhe proposed device at cryogenic temperature can work properly and become a promising device for future quantum computing systems. Додано в НРАТ 2025-03-24 Закрити