Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 2121U003987, Матеріали видань та локальних репозитаріїв Категорія Бакалаврська робота Назва роботи Приладово-технологічне моделювання структури та параметрів кремнієвих FinFET транзисторів Автор Дата публікації 01-01-2021 Постачальник інформації Сумський державний університет Першоджерело https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/84517 Видання Сумський державний університет Опис Об’єктом дослідження кваліфікаційної роботи є тривимірні структури кремнієвих FET-транзисторів із Fin-каналами та їх електричні характеристики. Мета роботи полягає у дослідженні впливу масштабування та квантових ефектів у каналах тривимірних кремнієвих транзисторів типу FinFET на їх робочі характеристики. Робота складається із вступу, трьох розділів основної частини та висновків. У першому розділі наведено огляд FinFET технології, яка використовується для виготовлення елементів інтегральних мікросхем. У другому розділі розглядаються методи побудови тривимірних структур польових транзисторів в рамках технології FinFET та їх вольт-амперних характеристик за допомогою програмного пакету Silvaco TCAD. У третьому розділі були успішно спроєктовані SOI TG FinFET транзистори та досліджені на вплив масштабування та квантових ефектів у Fin-каналах на їх робочі характеристики. Додано в НРАТ 2025-05-12 Закрити