Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 2121U007257, Матеріали видань та локальних репозитаріїв Категорія Бакалаврська робота Назва роботи КМДН-інвертор з довжинами каналів транзисторів субмікрометрового діапазону Автор Осадчий Євгеній АндрійовичOsadchyi Yevhenii Andriiovych Дата публікації 01-01-2021 Постачальник інформації Національний технічний університет України «Київський політехнічний інститут імені Ігоря Сікорського» Першоджерело https://ela.kpi.ua/handle/123456789/42314 Видання Київ Опис Дипломна робота виконана на 46 сторінках, що містять вступ, 4 розділи, 20 ілюстрацій, 14 джерел посилань. Об’єктом дослідження є КМДН-інвертор на транзисторах з субмікронними каналами. Предметом є порівняння результатів дослідження за відомими методами. Мета: проаналізувати існуючі конструкції та способи реалізації КМДН-інверторів з субмікронними каналами. У вступі розглянуто теоретичні основи роботи класичного МДН-транзистора та КМДН-інвертора. Перший розділ присвячений процесу виготовлення та електричним вимірюванням багатозатворного КМДН-транзистору з midgap матеріалом затвору. У другому розділі проведено моделювання впливу high-k діелектрика та діелектричних матеріалів на глибокі субмікрометрові МДН-транзистори. У третьому розділі досліджено процес виготовлення польових транзисторів з нанопровідними нанопроволоками Шотткі середньої щільності та проаналізовано їх властивості. Четвертий розділ присвячений дослідженню транзисторів з ультра тонким midgap затвором на підкладкці кремній на ізоляторі, моделюванню та розгляду його електричних характеристик. Thіs is is performed on 46 pages, containing an introduction, 4 sections, 20 illustrations, 14 sources of references. The object of the study is a KMDN inverter on transistors with submicron channels. The subject is to compare the results of the study by known methods. Objective: to analyze the existing designs and methods of implementation of KMDN inverters with submicron channels. In the introduction the theoretical bases of operation of the classical MDN-transistor and KMDN-inverter are considered. The first section is devoted to the manufacturing process and electrical measurement of a multi-gate KMDN transistor with midgap gate material. In the second section, the effect of high-k dielectric and dielectric materials on deep submicrometer MOSFETs is modeled. In the third section, the manufacturing process of field-effect transistors with medium-density Schottky nanowires is investigated and their properties are analyzed. The fourth section is devoted to the study of transistors with an ultra-thin midgap gate on a silicon substrate on the insulator, modeling and consideration of its electrical characteristics. Додано в НРАТ 2025-11-05 Закрити