Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 2121U007954, Матеріали видань та локальних репозитаріїв Категорія Бакалаврська робота Назва роботи Дослідження напівпровідникових лазерів на основі нітридів A3B5 Автор Чайкун Владислав ОлександровичChaikun Vladyslav Oleksandrovych Дата публікації 01-01-2021 Постачальник інформації Національний технічний університет України «Київський політехнічний інститут імені Ігоря Сікорського» Першоджерело https://ela.kpi.ua/handle/123456789/42299 Видання Київ Опис Роботу викладено на 66 сторінках, вона містить 3 розділи, 18 ілюстрацій, 3 таблиці і 31 джерело в переліку посилань. Об’єктом дослідження є напівпровідникові лазери на нітрідах AIIIBV Предмет роботи – дослідження всіх структур з яких можливо створити лазери на нітрідах AIIIBV та проблематика створення на них. Мета роботи – зробити висновки на основі отриманих знань та зробити висновки на яких структурах можливо створити потужні лазери, які могли покривати весь спектр випромінювання. У цій дипломній роботі були вивчені матеріали зарубіжних та вітчизняних вчених по темам напівпровідникових лазерів на основі нітридів A3B5, основні матеріали на основі нітридів, нанотехнологій напівпровідникових лазерів. Було зроблено аналіз основних матеріалів на нітридах у сучасному світі та зроблені висновки, щодо можливого майбутнього розвитку цієї сфери. Було досліджено нанотехнології напівпровідникових лазерів. Виміряно практично потужність лазера та досліджено спектр його випромінювання. Здійснено порівняння матеріалів на нітридах. Були дослідженні різні види лазерів. Здійснено дослідження актуальності теми. The work is presented on 66 pages, it contains 3 sections, 18 illustrations, 3 tables and 31 sources in the list of references. The object of research is semiconductor lasers on nitrides AIIIBV The subject of work - research of all structures from which it is possible to create lasers on AIIIBV nitrides and problems of creation on them. The aim of the work is to draw conclusions based on the acquired knowledge and to draw conclusions on which structures it is possible to create powerful lasers that could cover the entire spectrum of radiation. In this thesis were studied materials of foreign and domestic scientists on semiconductor lasers based on nitrides A3B5, basic materials based on nitrides, nanotechnologies of semiconductor lasers. An analysis of the main materials on nitrides in the modern world was made and conclusions were made about the possible future development of this field. Nanotechnology of semiconductor lasers was studied. The power of the laser was practically measured and the spectrum of its radiation was studied. The comparison of materials on nitrides is carried out. Different types of lasers have been studied. The relevance of the topic has been studied. Додано в НРАТ 2025-11-05 Закрити