Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 2121U008430, Матеріали видань та локальних репозитаріїв Категорія Бакалаврська робота Назва роботи Діод Шотткі на основі переходу Au-Si Автор Шкапа Антон СергійовичShkapa Anton Serhiiovych Дата публікації 01-01-2021 Постачальник інформації Національний технічний університет України «Київський політехнічний інститут імені Ігоря Сікорського» Першоджерело https://ela.kpi.ua/handle/123456789/42296 Видання Київ Опис Роботу викладено на 50 сторінках, вона містить 4 розділи, 27 ілюстрацій, 6 таблиць та 22 джерела в переліку посилань. Об’єктом дослідження є діод Шотткі на основі контакту Au/Si та його основні електрофізичні параметри. Предмет роботи – дослідження електрофізичних параметрів діодів Шотткі із контактом Au/Si та огляд теоретичних засад формування бар’єру Шотткі на контакті метал-напівпровідник. Мета роботи – розрахунок електрофізичних параметрів діода Шотткі на основі контакту Au-Si та порівняння трьох, виготовлених промисловим методом, діодів для визначення доцільності використання тієї чи іншої товщини контакту металу (Au). В першому розділі подаються основи описання контактів типу метал-напівпровідник, методики формування бар’єру Шотткі за різних модифікацій обраних матеріалів та методи струмопроходження через такі контакти. В другому розділі описано основні засади формування структур діодів Шотткі та їх схемотехнічне використання в парі з біполярними транзисторами для зняття паразитного заряду. Також описано покрокове формування діоду Шотткі на планарному транзисторі для утворення структури із «затискачем» Шотткі. В третьому розділі розглянуто використане для розрахунків програмне забезпечення у вигляді пакету MathCad. Його переваги та функціональні можливості. Також було розглянуто причини вибору саме цього пакету. В четвертому розділі наведено розрахункову частину дослідження, надано відповідні таблиці та графіки, отримані з експериментальних даних. The work is presented on 50 pages, it contains 4 sections, 27 illustrations, 6 tables and 22 sources in the list of references. The object of the study is the Schottky diode based on the Au / Si contact and its basic electrophysical parameters. The subject of the work is the study of the electrophysical parameters of Schottky diodes with Au / Si contact and the review of the theoretical foundations of the formation of the Schottky barrier at the metal-semiconductor contact. The purpose of the work is to calculate the electrophysical parameters of the Schottky diode based on the Au-Si contact and to compare three diodes made by the industrial method to determine the feasibility of using a particular thickness of the metal contact (Au). The first section provides the basics of describing metal-semiconductor contacts, methods of forming a Schottky barrier with different modifications of selected materials and methods of current flow through such contacts. The second section describes the basic principles of forming the structures of Schottky diodes and their circuit use in pair with bipolar transistors to remove the parasitic charge. The stepwise formation of a Schottky diode on a planar transistor to form a structure with a Schottky "clamp" is also described. The third section discusses the software used for calculations in the form of the MathCad package. Its advantages and functionality. The reasons for choosing this package were also considered. The fourth section presents the calculated part of the study, provides the relevant tables and graphs obtained from experimental data. Додано в НРАТ 2025-11-05 Закрити