Реєстраційний номер
2121U011207, Матеріали видань та локальних репозитаріїв
Категорія
Стаття
Назва роботи
Theory of photoreactive effect in bipolar and MOSFET transistors
Автор
Osadchuk A. V.
Osadchuk V. S.
Osadchuk I. A.
Seletska O. O.
Kisała P.
Nurseitova K.
Осадчук О. В.
Осадчук В. С.
Осадчук Я. О.
Селецька О. О.
Дата публікації
15-11-2021
Постачальник інформації
Вінницький національний технічний університет
Першоджерело
http://ir.lib.vntu.edu.ua/handle/123456789/34018
Видання
Society of Photo-Optical Instrumentation Engineers
Опис
The paper deals with the fundamentals of the theory of photoreactive effect in bipolar and field-effect transistor structures. Photoreactive properties of semiconductor devices are widely used in a variety of radio electronics devices. Therefore, the study of these phenomena in bipolar transistor structures with negative resistance, allows us to create new sensory devices, which have better parameters than existing ones. The method of construction of radiomeasuring microelectronic transducers is offered on the base of photoreactive effect in sensing bipolar and field transistor structures, that has established premises for embodying transducers of optical radiation with a frequency output signal.
Додано/оновлено в НРАТ
2026-10-26
