Реєстраційний номер
2121U011867, Матеріали видань та локальних репозитаріїв
Категорія
Стаття
Назва роботи
Design and simulation of neuron-equivalentors array for creation of self-learning equivalent-convolutional neural structures (SLECNS)
Проектування та моделювання масиву нейрон-еквіваленторів для створення самонавчальних еквівалентно-згорткових нейронних структур (СНЕЗНС)
Автор
Красиленко В. Г.
Юрчук Н. П.
Нікітович Д. В.
Krasilenko V.
Yurchuk N.
Nikitovich D.
Krasilenko V.
Yurchuk N.
Nikitovich D.
Дата публікації
01-01-2021
Постачальник інформації
Вінницький національний технічний університет
Першоджерело
http://ir.lib.vntu.edu.ua/handle/123456789/35088
Видання
Хмельницький національний університет
Опис
У статті ми розглядаємо гостру необхідність створення високоефективних апаратних прискорювачів для алгоритмів машинного навчання, включаючи згорткові і глибокі нейронні мережі (ЗНМ і ГЗНМ), для моделей асоціативної пам`яті, кластеризації та розпізнавання образів. Ми показуємо в короткому огляді наших пов`язаних робіт переваги еквівалентністних моделей (ЕМ) для опису і проектування біо-натхненних систем. Ємність НМ на основі ЕМ і її модифікацій в кілька разів перевищує кількість нейронів. Такі нейронні парадигми дуже перспективні для обробки, кластеризації, розпізнавання, зберігання сильно корельованих і зашумлених зображень навіть великого розміру і для створення неконтрольованої навчальної машини. Базовими операційними функціональними вузлами ЕМ є векторно-матричні або матрично-тензорні процедури з такими безперервно-логічними операціями, як: нормалізовані векторні операції «еквівалентність», «нееквівалентність». Ми розглядаємо в цій статті нові концептуальні підходи до створення повномасштабних масивів таких нейрон-еквіваленторів (НЕ) з розширеними функціональними можливостями, включаючи різні функції активації. Наш підхід заснований на використанні аналогових і змішаних (із спеціальним кодуванням) методів реалізації необхідних операцій, побудови мережевих елементів (з числом синапсів від 8 до 128 і більше) і їх базових елементів, вузлів та модулів на основі світлочутливих елементів і відбивачів струму (струмових дзеркал) на CMOS. Результати моделювання показують, що відносна енергоефективність НЕ оцінюється величиною не менше 10 ^ 12 ан. op. / сек на Вт і може бути збільшена. Результати підтверджують правильність концепції і можливість створення на їх основі структур НЕ і СНЕЗНС.
Додано/оновлено в НРАТ
2026-11-04