Search academic texts

Information × Registration Number 2122U003740, Article popup.category Бакалаврська робота Title popup.author popup.publication 01-01-2022 popup.source_user Сумський державний університет popup.source https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/88133 popup.publisher Конотопський інститут Сумського державного університету Description Об’єктом дослідження кваліфікаційної роботи є тривимірні структури польових транзисторів на основі деформованого кремнію та їх електричні характеристики. Мета роботи полягає у дослідженні впливу масштабування та квантових ефектів у каналах тривимірних транзисторів на основі деформованого кремнію на їх робочі характеристики. Одночасно зі зменшенням розмірів елементів інтегральних мікросхем вирішення теплових проблем пристроїв, що входять до їх складу набуває все більшої актуальності. Інтегральні схеми, що використовуються у військовій, автомобільній та атомній промисловості потребують високих робочих температур. Дослідження впливу різних факторів на самонагрівань FinFET пристроїв є перспективним. Проте наразі чисельних досліджень процесів самонагріву в тривимірних транзисторах типу FinFET недостатньо. Робота складається із вступу, трьох розділів основної частини та висновків. У першому розділі наведено огляд FET технологій, яка використовується для виготовлення елементів інтегральних мікросхем. У другому розділі розглядаються методи побудови тривимірних структур транзисторів та їх вольт-амперних характеристик за допомогою програмного пакету Silvaco TCAD. У третьому розділі були спроектовані польові транзистори на основі деформованого кремнію та досліджені на вплив масштабування та температури на їх робочі характеристики. popup.nrat_date 2025-05-12 Close