Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 2123U005060, Матеріали видань та локальних репозитаріїв Категорія Стаття Назва роботи Premature Breakdown Identification in Photovoltaic Array Fed IGBT-based Voltage Source Converter Автор Дата публікації 01-01-2023 Постачальник інформації Сумський державний університет Першоджерело https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/92414 Видання Sumy State University Опис Біполярний транзистор з ізольованим затвором (IGBT) є робочим елементом в сучасних перетворювачах силової електроніки. Здатність транзистора IGBT, який використовується в схемах перетворювача потужності, блокувати високі напруги, є однією з його найважливіших особливостей. Велике виробництво сонячної енергії включається в мережу змінного струму за допомогою перетворювачів джерела напруги (VSC). Багато інших програм також використовують перетворювачі джерела напруги (VSC). IGBT є невід’ємною частиною перетворювачів джерела напруги. Несправність у VSC на основі IGBT впливає на функціональність усіх систем на основі VSC. Таким чином, безвідмовна робота IGBT є дуже бажаною. У цій статті представлено методологію виявлення передчасної несправності IGBT (PIBDF) у фотоелектричному (PV) трифазному трирівневому перетворювачі джерела напруги (VSC), підключеному до мережі. Роботу було виконано за допомогою аналізу, який базується на методі швидкого перетворення Фур’є (FFT), застосованому до вихідної фазної напруги VSC. Потім для різних значень відсотка несправності було досліджено вплив на постійний струм, а також компонент основної частоти та гармонічні спотворення. Досліджено деякі особливості субгармонічних компонентів у нормальних і несправних умовах IGBT. Подальше дослідження показує, що є кілька функцій, придатних для ідентифікації несправності. Insulated gate bipolar transistor (IGBT) is a work element in modern power electronics converters. The ability of the IGBT transistor, which is utilised in power converter circuits, to block high voltages, is one of its most crucial features. Large-scale solar power generations are incorporated into the AC grid via voltage-source converters (VSC). Many other applications also utilise voltage-source converters (VSCs). IGBTs are an integral part of voltage-source converters. Fault in IGBT-based VSCs has an impact on the functionality of all VSC-based systems. So, the fault-proof operation of IGBT is highly desirable. This article presents a methodology to detect the premature IGBT breakdown fault (PIBDF) in a photovoltaic (PV)-grid-connected three-phase three-level Voltage Source Converter (VSC). The work has been done using an analysis that is based on the Fast Fourier Transform (FFT) technique applied to the output phase voltage of VSC. Then for different fault percentage values, the effects on the DC as well as the fundamental frequency component and harmonic distortions have been investigated. Some specific features of the subharmonic components have been studied under the normal and faulty conditions of the IGBT. Further study shows that there are few features suitable for fault identification. Додано в НРАТ 2025-03-24 Закрити