Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 2123U005164, Матеріали видань та локальних репозитаріїв Категорія Стаття Назва роботи An Ultra-Low-Power and High Sensibility of the Smart CMOS (Si and 4H-SiC) Temperature Sensor in 130 nm Technology Автор Дата публікації 01-01-2023 Постачальник інформації Сумський державний університет Першоджерело https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/94056 Видання Sumy State University Опис Одним із багатьох застосувань технології CMOS є розробка датчиків температури. У цій статті електричні характеристики смарт-датчика температури CMOS (Si та 4H-SiC) за технологією 130 нм досліджувалися за допомогою програмного забезпечення OrCAD PSpice. Запропонована схема CMOS розроблена для створення першого інтелектуального датчика температури на основі двох різних напівпровідникових технологій (Si та 4H-SiC), інтегрованих в одну мікросхему. Ці технології активуються окремо відповідно до діапазону температур (Низький і Високий). Дослідження цього інтелектуального датчика показало, що вони працюють при низькій напрузі менше 0,8 В і наднизькій потужності порядку нВт. Крім того, він характеризується високою чутливістю та хорошою лінійністю в діапазоні температур від – 120 °C до 500 °C. Очікується, що використання технологій Si та 4H-SiC для обох діапазонів температур (низького та високого) відповідно збільшить термін служби датчика. One of the many applications of CMOS technology is the design the temperature sensors. In this paper, the electrical performance of smart CMOS (Si and 4H-SiC) temperature sensor in 130 nm technology has been studied using OrCAD PSpice software. The proposed CMOS circuit is developed to provide the first smart temperature sensor based on two different semiconductor technologies (Si and 4H-SiC) integrated on the same chip. These technologies are activated separately according to the temperature range (Low and High). The study of this smart sensor have shown that they operate under a low voltage less than 0.8 V and ultra-low power of order nW. In addition, it is characterized by high sensitivity and good linearity across a temperature range from – 120 °C to 500 °C. It is expected that the use of Si and 4H-SiC technologies for both temperature ranges (low and high) respectively will increase the life of this sensor. Додано в НРАТ 2025-03-24 Закрити