Search academic texts

Information × Registration Number 2123U007514, Article popup.category Бакалаврська робота Title popup.author popup.publication 01-01-2023 popup.source_user Сумський державний університет popup.source https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/92230 popup.publisher Відокремлений структурний підрозділ "Класичний фаховий коледж Сумського державного університету" Description Обгрунтуванням актуальності теми є потенціал польових транзисторів із каналами на основі нанодротів для наноелектроніки та їх можливості впливати на покращення продуктивності та функціональності електронних пристроїв. Мета роботи полягає у розробці та застосуванні комп’ютерних моде-лей структури та електронних характеристик польових транзисторів із кана-лами на основі нанодротів. Відповідно до мети, вирішувалися такі задачі: - вивчення моделей, які враховують особливості характеристик польових транзисторів із каналами на основі нанодротів; - аналіз температурних залежностей польових транзисторів із каналами на основі нанодротів кремнію Для досягнення цієї мети були використані методи комп’ютерного моде-лювання у програмному середовищі Silvaco ТCAD. У роботі використано комп’ютерне моделювання для аналізу характе-ристик транзисторів на основі нанодротів кремнію. Спочатку розроблено комп’ютерну модель, яка описує структуру цих елементів і їх електричні властивості. Далі проведене числове моделювання, використовуючи методи розв'язання диференціальних рівнянь в рамках дрейф-дифузiйної моделi. Об'єкт досліджень: транзистори із каналами на основі нанодротів. Предмет досліджень: комп'ютерне моделювання структури та характе-ристик цих транзисторів. popup.nrat_date 2025-05-12 Close