Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 2124U003299, Матеріали видань та локальних репозитаріїв Категорія Стаття Назва роботи Equivalent Circuit Model to Reach Complicated Surface Photovoltage Transient Shapes in ZnO Thin Films Автор Дата публікації 01-01-2024 Постачальник інформації Сумський державний університет Першоджерело https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/95230 Видання Sumy State University Опис Плівки ZnO були отримані нанесенням оксиду цинку на підкладку кремнію p-типу за допомогою магнетронного розпилення, після чого у плівку були імплантовані іони Nd+ з подальшим відпалом. Динаміка фотозбуджених носіїв досліджувалась за допомогою вимірювання поверхневої фото-ЕРС Перехідний процес кінетики фото-ЕРС після вимкнення джерела світла часто має вигляд немонотонного та/або знакозмінного загасання. Моделювання таких складних перехідних процесів проводилося за допомогою методу еквівалентних схем. Були розроблені еквівалентні схеми, що містять у собі декілька елементів опору (R), ємності (C) та індуктивності (L). За допомогою аналізу імпедансу в часовій області була також розроблена проста процедура підгонки, яка дозволяє точно відтворювати виміряний перехідний процес фото-ЕРС. Показано можливий взаємозв'язок між цими елементами RCL і фізичною картиною явищ переносу заряду в областях розділу структури. Такий підхід може бути корисним для використання при моделюванні характеристик інтерфейсів у напівпровідникових структурах і пристроях. The dynamics of photoexcited carriers in magnetron sputtered ZnO films is characterized employing time-domain impedance analysis, which is based on the measurements of the surface photovoltage (SPV) transients. The studies focus on observing the damage after the implantation of Nd+ ions in ZnO layers and a subsequent anneal. We observed the positive and negative components of the measured SPV transient and develop equivalent circuits of the structure involving multiple series of parallel resistance (R), capacitance (C), and inductance (L) elements, and derive a simple fitting procedure which allows to reproduce accurately the measured SPV transient. The relationship between these RCL elements and a rough physical picture of the charge transport phenomena in the interface regions of the structure is envisaged. This approach is conceptually useful for characterizing interfaces in semiconductor structures and devices. Додано в НРАТ 2025-03-24 Закрити