Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 2124U003344, Матеріали видань та локальних репозитаріїв Категорія Стаття Назва роботи Expeditious Identification of IGBT Switch Fault in Bidirectional Microgrid Inverter Linked to Distributed Energy Resources Автор Дата публікації 01-01-2024 Постачальник інформації Сумський державний університет Першоджерело https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/94942 Видання Sumy State University Опис У сучасній силовій електроніці біполярні транзистори з ізольованим затвором (IGBT) надзвичайно важливі з різних причин. IGBT служать життєво важливими компонентами інверторів мікромережі, забезпечуючи комутаційні можливості, необхідні для перетворення електроенергії постійного струму з відновлюваних джерел у високоякісну енергію змінного струму для додатків мікромережі (MG). Двонаправлений інвертор (BDI) є важливим компонентом мікромережі, що забезпечує безперебійну інтеграцію розподілених енергетичних ресурсів (DER) і підтримує як підключену до мережі, так і автономну роботу. У двонаправленому інверторі постійного/змінного струму (BDAI) IGBT відіграють важливу роль в управлінні потоком електроенергії в обох напрямках. Наслідки збоїв двонаправленого IGBT інвертора в мікромережі можуть варіюватися від невеликих проблем із якістю електроенергії до більш серйозних перебоїв у стабільності та продуктивності системи. Тому IGBT повинен працювати без збоїв. Ця стаття ілюструє метод виявлення ранньої несправності перемикача IGBT (ISF) у двонаправленому інверторі з мікромережею, який підключено до фотоелектричної (PV) системи зберігання енергії від акумулятора (BESS). Для виявлення несправностей було проведено аналіз сигналу вихідного струму інвертора за допомогою швидкого перетворення Фур’є (ШПФ). Після цього було досліджено вплив на постійний струм, фундаментальний компонент струму та гармонійні спотворення для різних рівнів несправності. Була спроба успішно виявити ISF на основі найкращих характеристик. Також був запропонований алгоритм виявлення ISF. In contemporary power electronics, Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs) are extremely important for various reasons. IGBTs serve as vital components in microgrid inverters, providing the switching capabilities required to transform DC electricity from renewable sources into high-quality AC power for microgrid (MG) applications. A bidirectional inverter (BDI) is an essential component of a microgrid, allowing for the smooth integration of distributed energy resources (DERs) and supporting both gridconnected and islanded operations. In a bidirectional DC/AC inverter (BDAI), IGBTs play an important role in managing the flow of electricity in both directions. The consequences of bidirectional inverter’s IGBT failures on a microgrid might vary from small power quality concerns to more serious interruptions in stability and system performance. Therefore, IGBT should operate without failure. This paper illustrates a method for identifying an early IGBT switch failure (ISF) in a bidirectional microgrid inverter that is linked to a photovoltaic (PV) and battery energy storage system (BESS). An analysis of the inverter output current signal using the Fast Fourier Transform (FFT) has been undertaken to discover faults. Afterwards, the impacts on the DC, fundamental current component, and harmonic distortions have been investigated for various levels of fault. A successful detection of the ISF has been attempted, based on the best-fit features. An ISF detection algorithm also has been proposed. Додано в НРАТ 2025-03-24 Закрити