Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 2124U003491, Матеріали видань та локальних репозитаріїв Категорія Стаття Назва роботи Fabrication of CdSe/Si Thin Films Solar Cell by CBD Автор Дата публікації 01-01-2024 Постачальник інформації Сумський державний університет Першоджерело https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/96111 Видання Sumy State University Опис Кремнієвий напівпровідник p-типу використовується як поглинаючий шар в сонячних елементах. У цій роботі було досліджено вплив товщини CdSe (0,1, 0,5, 1, 1,5, 2, 2,5, 3 нм) на електричні параметри та ефективність перетворення сонячних елементів CdSe/Si, виготовлених методом хімічного осадження у ванні, до та після відпалу при 873 К протягом однієї години. Було виявлено, що щільність струму короткого замикання, напруга холостого ходу та ефективність перетворення збільшуються зі збільшенням товщини CdSe. Максимальне значення ефективності досягало приблизно 5,31% при товщині CdSe 3 нм. Після відпалу ефективність перетворення була покращена і склала 8,74%. Додатково досліджені характеристики щільності струму напруги сонячної батареї в темряві. Було виявлено, що інтенсивність для всіх піків зменшується після процесу відпалу при температурі 873 К. Silicon p-type semiconductor is used to be as absorber layer in solar cell. In this work, the influence of CdSe thicknesses (0.1, 0.5, 1, 1.5, 2, 2.5, 3 nm) on the electrical parameters and the conversion efficiency of CdSe/Si solar cell fabricated by chemical bath deposition have been investigated before and after annealing at 873 K in one hour. It has been found that the short-circuit current density, open-circuit voltage and conversion efficiency increased as CdSe thicknesses increased. The maximum value of efficiency reached approximately 5.31% at 3 nm of CdSe thickness. After annealing, conversion efficiency was improved and it was 8.74%. Additionally, the characteristics of current density voltage solar cell investigated in the dark. The structure of CdSe/Si heterojunction solar cell was crystallized in hexagonal from XRD measurements. It has been found that the intensity for all peaks a decrease after annealing process at a temperature 873 K. Додано в НРАТ 2025-03-24 Закрити