Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 2124U003703, Матеріали видань та локальних репозитаріїв Категорія Бакалаврська робота Назва роботи Моделювання процесів росту тонких плівок кремнію з дихлорсилану методом хімічного осадження з газової фази (ХОГФ) за низького тиску Автор Дата публікації 01-01-2024 Постачальник інформації Національний технічний університет України «Київський політехнічний інститут імені Ігоря Сікорського» Першоджерело https://ela.kpi.ua/handle/123456789/70104 Видання Київ Опис Метою роботи є проведення огляду хімічного осадження з газової фази кремнію за Куном, пошуку можливих удосконалень даної моделі та імплементування результатів у Ansys Student, зокрема термодифузії. Використання більш точних методів росту плівок кремнію необхідно для поліпшення характеристик транзисторів, що вимагають високої точності в розмірах та однорідності матеріалу. Також, дозволятиме робити більш ефективні сонячні панелі, і зокрема сприятиме розвитку новітніх технологій, таких як квантові комп'ютери та фотоніка, де кремнієві плівки відіграють ключову роль у створенні ефективних квантових бітів та інтегрованих фотонних вузлів. Результати дослідження в Ansys Fluent показали, що термодифузія має значний вплив на швидкість росту плівки, а отже її врахування є важливим при моделюванні процесу росту плівок кремнію. Додано в НРАТ 2025-03-31 Закрити