Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 2124U005286, Матеріали видань та локальних репозитаріїв Категорія Бакалаврська робота Назва роботи Морфологічні особливості формування одномірних напівпровідникових структур Автор Дата публікації 01-01-2024 Постачальник інформації Сумський державний університет Першоджерело https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/96032 Видання Відокремлений структурний підрозділ "Класичний фаховий коледж Сумського державного університету" Опис Об’єктом дослідження кваліфікаційної роботи бакалавра фізичні процеси фазоутворення, які відбуваються при формуванні одномірних напівпровідникових структур оксиду цинку . Мета роботи полягає у систематизації знань про фізичні особливості формування морфології поверхні одномірних напівпровідникових наноструктур, отриманих гідрохімічним методом на орієнтовані монокристалічні підкладки оксиду цинку в залежності від таких фізико-технологічних параметрів, як температура підкладки, на яку наносилися наноструктури та концентрації як домішки вольфраму, та і компоненту цинку.. При виконанні роботи використовувалися методи аналізу літературних джерел стосовно фізичних властивостей, методик одержання та дослідження напівпровідникових структур. У результаті проведених досліджень встановлено, що наноструктури оксиду цинку мають складний характери формування морфологічних структур, на що впливає як орієнтація росту даних структур, так і фізико-технологічні умови їх одержання. Додано в НРАТ 2025-05-12 Закрити