Знайдено документів: 1
Інформація × Реєстраційний номер 2125U001178, Матеріали видань та локальних репозитаріїв Категорія Бакалаврська робота Назва роботи Отримання волокон високоентропійного бориду (Ti, Zr, Hf, Nb, Ta)B2 з використанням зонної плавки Автор Дата публікації 01-01-2025 Постачальник інформації Національний технічний університет України «Київський політехнічний інститут імені Ігоря Сікорського» Першоджерело https://ela.kpi.ua/handle/123456789/74438 Видання Київ Опис У даній роботі представлено теоретичний огляд та технологічні аспекти отримання високоентропійного бориду після хімічного травлення, спрямованого на видалення матриці з композиційного сплаву системи LaB₆(Ti, Zr, Hf, Nb, Ta)B₂, синтезованого методом безтигельної зонної плавки. Об’єкт дослідження: Волокна отриманного високоентропійного бориду (Ti, Zr, Hf, Nb, Ta)B2. Мета дослідження: отримання волокон високоентропійних боридів за допомогою методу зонної плавки та дослідження їх мікроструктури і фазового складу. Матеріал був отриманий методом безтигельної зонної плавки за різних швидкостей росту кристалів, а високоентропійний борид з сплаву – шляхом хімічного травлення з подальшим вилученням LaB₆матриці. Методи дослідження: – Електронна мікроскопія. – Рентгеноструктурний аналіз. – Аналіз геометричних параметрів структури. У процесі роботи було отриману сплав системи LaB₆–(Ti, Zr, Hf, Nb, Ta)B₂ методом безтигельної зонної плавки з використанням різних швидкостей росту кристалів: 1 мм/хв, 2 мм/хв, 3 мм/хв 4 мм/хв. Після хімічного травлення з видаленням матриці LaB₆ отримано високоентропійний борид, який було проаналізовано на предмет мікроструктурних особливостей, фазового складу та геометричних параметрів структури. Встановлено, що зі збільшенням швидкості росту кристала спостерігається зменшення розміру волокон. Додано в НРАТ 2025-08-18 Закрити
Матеріали
Бакалаврська робота
Отримання волокон високоентропійного бориду (Ti, Zr, Hf, Nb, Ta)B2 з використанням зонної плавки : публікація 2025-01-01; Національний технічний університет України «Київський політехнічний інститут імені Ігоря Сікорського», 2125U001178
Знайдено документів: 1

Оновлено: 2026-03-19