Знайдено документів: 1
Інформація × Реєстраційний номер 2125U001277, Матеріали видань та локальних репозитаріїв Категорія Бакалаврська робота Назва роботи Закономірності формування покриттів з високоентропійного сплаву AlCrFeCoNi методом плазмового напилення Автор Дата публікації 01-01-2025 Постачальник інформації Національний технічний університет України «Київський політехнічний інститут імені Ігоря Сікорського» Першоджерело https://ela.kpi.ua/handle/123456789/74474 Видання Київ Опис Мета роботи полягала у встановлені закономірностей формування покриттів зі сплаву AlCrFeCoNi методом плазмового напилення. Об’єкт дослідження – покриття з високоентропійного сплаву AlCrFeCoNi. Предмет дослідження – закономірності формування структуру, фазового складу, та параметрів зносостійкості покриттів AlCrFeCoNi. Методи дослідження та апаратура: механічне легування проводили в планетарному млині з добавками олеїнової кислоти; покриття наносили за допомогою процесу мікроплазмового напилення на стальну підкладку; аналіз покриттів після напилення проводили за допомогою рентгенівського дифрактометру та оптичного мікроскопу. Встановлено, що після механічного легування сплаву AlCrFeCoNi відбувається формування ГЦК твердого розчину. Показано, що для отримання оптимальних властивостей покриттів на основі AlCrFeCoNi необхідно забезпечити дистанцію напилення на рівні 110–150 мм. За малих відстаней відбувається розбризкування матеріалу покриття та формування не однорідностей. За великих відстаней матеріал покриття втрачає енергію внаслідок тривалого польоту, як наслідок виникає значна пористість. Встановлено, що під час випробування матеріалу в парі із закріпленим абразивом після проходження шляху тертя в 15 км відбувається стабілізація зношування за рахунок утворення вторинних структуру які знижують коефіцієнт тертя. Додано в НРАТ 2025-08-18 Закрити
Матеріали
Бакалаврська робота
Закономірності формування покриттів з високоентропійного сплаву AlCrFeCoNi методом плазмового напилення : публікація 2025-01-01; Національний технічний університет України «Київський політехнічний інститут імені Ігоря Сікорського», 2125U001277
Знайдено документів: 1

Оновлено: 2026-03-21