Search academic texts

Information × Registration Number 2125U001734, Article popup.category Бакалаврська робота Title popup.author popup.publication 01-01-2025 popup.source_user Національний технічний університет України «Київський політехнічний інститут імені Ігоря Сікорського» popup.source https://ela.kpi.ua/handle/123456789/75184 popup.publisher Київ Description У роботі досліджено вплив поверхневих дефектів на електричні характеристики квантових точок (QD), що є актуальною проблемою у сфері нанофотоніки, біосенсорики та оптоелектроніки. Особливу увагу приділено фізичній природі поверхневих пасток, таким як вакансії, незавершені зв’язки та адсорбовані молекули, які створюють локалізовані стани в забороненій зоні та знижують квантовий вихід фотолюмінесценції. Встановлено, що наявність дефектів призводить до підвищення безвипромінювальних процесів, фотоблікінгу та деградації сигналу. Також розглянуто вплив поверхневих пасток на електропровідність QD-плівок та фотостабільність матеріалу. У роботі систематизовано сучасні підходи до зменшення впливу поверхневих дефектів, зокрема органічну та неорганічну пасивацію, формування оболонкових структур типу core–shell, легування, термічну обробку, а також новітні гібридні методи (інкапсуляцію, самоорганізацію тощо). Продемонстровано, що поєднання декількох стратегій дозволяє значно покращити стабільність, яскравість та функціональну надійність квантових точок у реальних умовах експлуатації. Результати роботи можуть бути використані при створенні високоефективних QD-систем у світлодіодах, сонячних елементах, біомаркерних платформах та фотодетекторах нового покоління. popup.nrat_date 2025-09-01 Close