Search academic texts

Information × Registration Number 2125U001764, Article popup.category Бакалаврська робота Title popup.author popup.publication 01-01-2025 popup.source_user Національний технічний університет України «Київський політехнічний інститут імені Ігоря Сікорського» popup.source https://ela.kpi.ua/handle/123456789/75187 popup.publisher Київ Description Об'єктом дослідження є процес формування мікро- та наноструктур за допомогою електронно-променевої літографії у сканувальному електронному мікроскопі. Предметом дослідження є технологічні параметри, режими експонування та особливості взаємодії електронного променя з матеріалами електронного резисту, які впливають на якість і точність виготовлення прототипів електронних компонентів. Метою роботи є дослідження можливостей і розробка підходів до застосування високоточної електронно-променевої літографії на базі сканувального електронного мікроскопа для виготовлення прототипів електронних компонентів із нанометровою точністю. У першому розділі представлено огляд літератури щодо високоточної електронно-променевої літографії на базі сканувального електронного мікроскопа. У другому розділі розглянуто класифікацію методів та етапи виробництва електронних компонентів. У третьому розділі досліджено застосування методу електронно-променевої літографії для створення експериментальних зразків та прототипування у лабораторних умовах. У четвертому розділі представлено переваги та обмеження електронно-променевої літографії на базі сканувального електронного мікроскопа. popup.nrat_date 2025-09-01 Close