Реєстраційний номер
2125U010104, Матеріали видань та локальних репозитаріїв
Категорія
Тези доповідей
Назва роботи
Вплив вмісту селену на електричні властивості плівок CdZnTeSe
Автор
Лісовенко О.І.
Знаменщиков Ярослав Володимирович
Опанасюк Анатолій Сергійович
Znamenshchykov Yaroslav Volodymyrovych
Opanasiuk Anatolii Serhiiovych
Дата публікації
02-07-2025
Постачальник інформації
Сумський державний університет
Першоджерело
https://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/99586
Видання
Сумський державний університет
Опис
Чотирьохкомпонентна сполука CdZnTeSe (Cd1-xZnxTe1-ySey)
вивчається як матеріал нового покоління для створення детекторів
іонізуючого випромінювання, що працюють при кімнатній
температурі. Додавання селену до кристалічної гратки CdZnTe
приводить до її ефективного зміцнення, а зі збільшенням вмісту Se
знижується концентрація включень/преципітатів телуру. Встановлено,
що кристали CdZnTeSe демонструють кращу кристалічність, ніж
CdZnTe, що у свою чергу може привести до більшого виходу
високоякісного матеріалу з електричними та спектроскопічними
властивостями характерними для матеріалів CdTe та CdZnTe [1].
Додано/оновлено в НРАТ
2026-09-08
