Знайдено документів: 1
Інформація × Реєстраційний номер 0118U004772, ( 0218U003990  0218U001946  ) Науково-дослідна робота Назва роботи Розробка нових технологічних принципів створення планарних композиційних наноструктур на основі оксиду кремнію з реактивним імпедансом індуктивного типу Керівник роботи Євтух Анатолій Антонович, Дата реєстрації 30-05-2018 Організація виконавець Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України Опис роботи Розробка нових фізико-технологічних принципів формування планарних безвиткових наноструктур напівпровідник/SiO2 з реактивним імпедансом індуктивного типу на основі наногранулярних композиційних плівок оксиду кремнію, що містять наночастинки окислених перехідних металів або кремнію Додано в НРАТ 2024-12-10 Закрити
НДДКР РК
Розробка нових технологічних принципів створення планарних композиційних наноструктур на основі оксиду кремнію з реактивним імпедансом індуктивного типу
Керівник: Євтух Анатолій Антонович. Розробка нових технологічних принципів створення планарних композиційних наноструктур на основі оксиду кремнію з реактивним імпедансом індуктивного типу. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України. № 0118U004772
Знайдено документів: 1

Оновлено: 2026-03-24


Роздрукувати цю сторінку