Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0124U002531, ( 0225U002273  ) Науково-дослідна робота Назва роботи Терагерцова оптоелектроніка в нових низькорозмірних вузькощілинних напівпровідникових наноструктурах Керівник роботи Гуменюк-Сичевська Жанна Віталіївна, Доктор фізико-математичних наукСизов Федір Федорович, д.ф.-м.н. Дата реєстрації 21-03-2024 Організація виконавець Інститут фізики напівпровідників імені В. Є. Лашкарьова Національної академії наук України Опис роботи Головною метою запропонованого Партнерства є підтримка та подальший розвиток мережі між німецькою та українською групами, створені в попередній період програми. Мережа поєднує їх досвід, призводить до обміну ноу-хау, забезпечує доступ до додаткового доступного обладнання та матеріалів, розширює технічні можливості консорціуму та покращує освіту залучених молодих учених у актуальній галузі сучасної науки. Наукові цілі проекту передбачають фундаментальні дослідження в області ТГц оптоелектроніки та оптики. Зокрема, ми плануємо дослідити фізику нещодавно спостережуваної ТГц гігантської фотопровідності в квантових точкових контактах, що працює в тунельному режимі, і ТГц храповий ефект у 2D системах з площинними надгратками. Оскільки це нові галузі, експерименти будуть супроводжуватися теорією. Подальшою метою є розробка нових ТГц детекторів і системи бачення в реальному часі. Проект зосереджений на системах на основі HgTe. Аналіз і характеристика нових топологічних ізоляторів, які, у свою чергу, забезпечують важливий зворотний зв’язок для технологічно орієнтованих груп, є важливою метою нашої пропозиції. Щоб отримати більш повну картину досліджуваних ТГц оптико-електронних явищ, ми також досліджуватимемо моно та двошаровий графен, інкапсульований у h-BN. Графен, як і HgTe в топологічному режимі, характеризується діраківським типом зонної дисперсії. Додано в НРАТ 2024-12-09 Закрити