Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0125U001768, ( 0226U003282  ) Науково-дослідна робота Назва роботи Розроблення засад формування властивостей ультраширокозонних напівпровідників на основі Ga2O3 для силової електроніки та УФ оптоелектроніки Керівник роботи Василечко Леонід Орестович, Доктор хімічних наук Дата реєстрації 20-03-2025 Організація виконавець Національний університет "Львівська політехніка" Опис роботи Пошук і встановлення можливостей керованої модифікації кристалічної структури, оптичних та електронних властивостей широкозонних оксидних напівпровідників шляхом одно- та багатокатіонного заміщення різних кристалографічних позицій у структурі b-Ga2O3 та літій-галієвої шпінелі на основі синтезу нових сполук і комплексного експериментального та теоретичного дослідження взаємозв’язку їх атомної будови і зонної структури. Додано в НРАТ 2025-03-20 Закрити