Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0203U000017, 0100U000112 , Науково-дослідна робота Назва роботи Дослідження електронних процесів на межах поділу тонкоплівкових гетероструктур на основі матеріалів IV групи у широкому діапазоні температур і під дією зовнішніх впливів Назва етапу роботи Керівник роботи Лисенко Володимир Сергійович, Дата реєстрації 08-01-2003 Організація виконавець Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України Опис етапу Вперше досліджено захоплення електронів і дірок і з'ясовані параметри пасток заряду в активній частині електролюмінесцентних структурах a-Si:H(Er)/Si та SiO2(Ge)/Si; запропоновані механізми електролюмінесценції в структурах a-Si:H(Er)/Si та деградації діелектрика під час дії сильного електричного поля на структури SiO2(Ge)/Si; вивчені процеси і з'ясовані механізми генерації позитивного заряду у внутрішньому діелектрику КНІ структур; вивчені у широкому діапазоні температури (4-300К) процеси захоплення заряду на межі поділу структур SiO2/6H-SiC, в яких діелектрик був отриманий різними технологіями. Опис продукції Автори роботи Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити