Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0203U002461, 0100U003283 , Науково-дослідна робота Назва роботи Кінетика фазових перетворень та релаксаційних процесів в кристалах в умовах великих тисків, збудження пружних коливань та опромінювання Назва етапу роботи Керівник роботи Мацокін В., Дата реєстрації 23-06-2003 Організація виконавець Харківський національний університет імені В.Н. Каразіна Опис етапу Об'єкти дослідження — полікристали Cd-Ni, монокристали Kbr, слюда мусковит KAl3(OH)2Si3AlO10) та гіпс (CaSO4 2H2O). Мета роботи — визначити дифузійні і кінетичні параметри, розробити атомні механізми реакційної дифузії в системах Cu-Zn, Cd-Ni; встановити частотний спектр декременту затухання ультразвуку, температурну залежність константи демпфування дислокацій, механізми релаксації енергії при поглинанні ультразвуку; визначити закони дисперсії локалізованих коливань поблизу вільної поверхні ГЦК кристалів та області суцільного спектра ГЦК кристалів з плоским дефектом; вивчити особливості формування треків в кристалах із шаруватою структурою. Методи дослідження — металографія, растрова електронна мікроскопія, рентгенівський мікроаналіз, ультразвукове опромінювання, комп'ютерні розрахунки. Одержано співвідношення Ареніуса для кінетичних коефіцієнтів реакції на міжфазних границях бета- та коефіцієнтів взаємної дифузії. Одержано величини активаційних об'ємів для дифузії в об'ємі інтерметалідів. Показано, що із зниженням температури рівень акустичних втрат в монокристалах KBr зменшується і частотний спектр зміщується в область високих частот. Коефіцієнт демпфування дислокацій з підвищенням температури зростає. Встановлено закони дисперсії локалізованих і квазілокалізованих коливань поблизу вільної поверхні ГЦК кристалів та області суцільного спектра ГЦК кристалів, в яких можуть відбуватись процеси повного проходження та повного відбиття пружних хвиль від плоского дефекту. Визначено дисперсійні залежності частот повного проходження та повного відбиття для різних величин параметра дефекту. Показано, що різниця поміж розмірами та структурою треків C60 та Sn на поверхні слюди пов'язана з розділом С60 іонів на окремі кластери, після якого треки взагалі припиняють формуватися. Встановлено, що при опромінюванні поверхні шаруватих кристалів важкими багатозарядними іонами під кутами <1град. напрямок руху іона змінюється кожен раз, коли іон перетинає черговий щільнопакований шар. Опис продукції Автори роботи Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити