Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0204U000744, 0101U004305 , Науково-дослідна робота Назва роботи Внутрішньозонні переходи в напівпровідникових наноструктурах: створення нових джерел ТГц-випромінювання Назва етапу роботи Керівник роботи Сарбей О.Г., Дата реєстрації 20-02-2004 Організація виконавець Інститут фізики НАН України Опис етапу В гетероструктурах InGaAs/AlGaAs з квантовими ямами (КЯ) при оптичній накачці одержано випромінювання в середній інфрачервоній (ІЧ) області спектру при одночасній генерації ближнього ІЧ випромінювання. Виявлено, що зменшення інтенсивності ІЧ випромінювання в гетероструктурах InGaAs/AlGaAs з КЯ при появі N-подібної ВАХ в латеральному електричному полі пов'язано з утворенням доменів сильного поля. Показано, що для отримання терагерцового (ТГц) випромінювання в Si/GeSi гетероструктурах з КЯ, легування в край КЯ більш ефективне ніж легування в центр КЯ. Опис продукції Автори роботи Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити