Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0204U006004, 0102U000045 , Науково-дослідна робота Назва роботи Електричні та оптичні властивості наноструктур на основі SiGe Назва етапу роботи Керівник роботи Валах Михайло Якович, Доктор фізико-математичних наук Дата реєстрації 15-06-2004 Організація виконавець Інститут фізики напівпровідників Опис етапу Звіт про НДР: 25 с., 8 рис., 15 джерел. Об"єкт дослідження: самоорганізовані наноострівці Ge/Si, отримані методом молекулярно-променевої епітаксії. Мета роботи: розвиток фізичних основ росту самоорганізованих SiGe наноструктур на Si в процесі молекулярно-променевої епітаксії, експериментальні і теоретичні дослідженні електронного і фононного енергетичного спектрів, оптичних переходів в квантоворозмірних шарах і масивах квантових точок. Метод дослідження: комбінаційне розсіяння світла, атомно-силова мікроскопія, високороздільна рентгенівська дифрактометрія. Використовуючи АСМ-мікроскопію встановлено залежності щільності, об'єму та форми SiGe наноострівців від температури кремнієвої підкладки в процесі МПЕ. За допомогою КРС та ВРРД вимірювань визначено величини пружних деформацій та компонентного складу SiGe наноострівців, отриманих при різних температурах епітаксії. Показано, що компонентний склад острівців є змішаним за рахунок дифузії атомів Si з кремнієвої підкладки і цей процес значно посилюється зізбільшенням температури росту, і як наслідок, значно розширюється область стабільності пірамід з різними об'ємами. Ключові слова: молекулярно-променева епітаксія; германій, кремній, ефекти самоорганізації, тунельна и ємнісна спектроскопія, спектр станів, квантові ями і квантові точки; самоорганізація, випромінювальна рекомбінація. Опис продукції Автори роботи Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити