Знайдено документів: 1
Інформація × Реєстраційний номер 0205U006320, 0102U005422 , Науково-дослідна робота Назва роботи Розробка базової технології отримання іонно-імплантованих GaAs структур для мікроелектронних приладів. Назва етапу роботи Керівник роботи Іжнін Ігор Іванович, Дата реєстрації 04-10-2005 Організація виконавець Закрите акціонерне товариство "Науково-виробничий концерн "Наука" Опис етапу Об'єктами дослідження були іонно-імплантовані структури GaAs, отримані на напівізолюючій підкладці GaAs та експериментальні зразки датчиків Холла, виготовлені на їх основі. Метою НДДТР було проведення досліджень та розробка технології отримання іонно-імплантованих структур арсеніду галію для мікроелектронних приладів, зокрема для датчиків Холла, апробація іонно-імплантованих структур для виготовлення датчиків Холла. Для отримання іонно-імплантованих структур GaAs проводилося іонне легування іонами Si+, джерелами якого були моносілан та фотонний відпал напівпровідникових структур. Отримані структури були апробовані для виготовлення чутливих елементів датчиків Холла, відпрацьована технологія їх виготовлення. Опис продукції Автори роботи Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити
НДДКР ОК
Розробка базової технології отримання іонно-імплантованих GaAs структур для мікроелектронних приладів.
Керівник: Іжнін Ігор Іванович. Розробка базової технології отримання іонно-імплантованих GaAs структур для мікроелектронних приладів.. (Етап: ). Закрите акціонерне товариство "Науково-виробничий концерн "Наука". № 0205U006320
Знайдено документів: 1

Оновлено: 2026-03-26


Роздрукувати цю сторінку