Знайдено документів: 1
Інформація × Реєстраційний номер 0206U000281, 0106U000171 , Науково-дослідна робота Назва роботи Проведення досліджень по вивченню впливу підготовки вакуумної камери та плавки в потоці гелію при ЗП на вміст легуючої та фонової домішок в монокристалах Si Назва етапу роботи Керівник роботи Баранський Петро Іванович, Дата реєстрації 19-01-2006 Організація виконавець Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України Опис етапу Встановлено вплив різних способів підготовки вакуумної камери на вміст домішки кисню в кристалах Si. Показано методом ІЧ-спектроскопії, що незалежно від методів підготовки вакуумної камери вміст міжвузлового кисню в кристалах Si після переплаву складає порядка 10 см . Опис продукції Автори роботи Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити
НДДКР ОК
Проведення досліджень по вивченню впливу підготовки вакуумної камери та плавки в потоці гелію при ЗП на вміст легуючої та фонової домішок в монокристалах Si
Керівник: Баранський Петро Іванович. Проведення досліджень по вивченню впливу підготовки вакуумної камери та плавки в потоці гелію при ЗП на вміст легуючої та фонової домішок в монокристалах Si. (Етап: ). Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України. № 0206U000281
Знайдено документів: 1

Оновлено: 2026-03-26


Роздрукувати цю сторінку