Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0206U004820, 0103U003788 , Науково-дослідна робота Назва роботи Дослідження фотоелектричного інжекційно-плазмового підсилення в компенсованих напівпровідниках Назва етапу роботи Керівник роботи Курмашев Ш.Д., Дата реєстрації 20-03-2006 Організація виконавець Одеський національний університет ім. І. І. Мечникова. Наукова частина Опис етапу Об"єкт дослідження-інжекційні структури на базі викоомних напівпровідників ( Ge, Si, AlGaAs) Мета роботи-розробити концепці фотоелектричного іжекційного підсилення в компенсованих напівпровіниках кціного пдсилення в компенсованих напівпровідниках. Запропоновано фізичні механыіми струмопереносу при безпосередньому впливі світла на рухливыіть носіїв заряду. Фотоелектричні характеристики варизонних та поверхнево-бар"єрних струтур залежать від магнітного поля, тиску. Розроблено лабораторні моделі датчиків світла, магнітного поля, тиску Опис продукції Автори роботи Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити