Знайдено документів: 1
Інформація × Реєстраційний номер 0207U000158, 0104U008840 , Науково-дослідна робота Назва роботи Розробка зондових (АСМ - атомна силова мікроскопія, СТМ - скануюча тунельна мікроскопія) методів направленого формування електричних якостей напівпровідникових наноструктур Назва етапу роботи Керівник роботи Каневський Василій Іванович, Дата реєстрації 11-01-2007 Організація виконавець Закрите акціонерне товариство "Науково-виробничий концерн "Наука" Опис етапу Створена експериментальна технологічна лінія для здійснення і контролю локальної зарядки під зондом атомно-силового мікроскопа, що дозволяє проводити операції в кімнатній і будь-якій контрольованій атмосфері, а також в середньому вакуумі. Виконаний аналіз і визначені методи електростатичної силової мікроскопії, які можуть бути застосований для виконання робіт по здійсненню і контролю локальної зарядки під зондом атомно-силового мікроскопа. Розглянуто питання отримання максимальних чутливості і розподільної здатності при здійсненні і контролі локальної зарядки. Визначені методичні підходи і умови їх реалізації. Обрані практичні шляхи здійснення і контролю локальної зарядки під зондом атомно-силового мікроскопа, проведена серія випробувань експериментальної технологічної лінії. Показана працездатність створеної технологічної лінії. Була здійснена локальна зарядка і контроль нанотонкого оксиду SiO2 на підкладці кремнію під зондом АСМ. При роботі у вакуумі були отримані стабільні в часі (випробування протягом 10 годин) плями зарядки високого контрасту з діаметром на напіввисоті 110 нм. Результат відповідає кращим досягненням зарубіжних груп для вибраного оксиду. Показано, що нанотонкі шари SiO2 на підкладці кремнію з вбудованим планарним шаром нанокристалів Si, отриманим шляхом імплантації іонів Si з наступним температурним відпалом, можуть бути придатним матеріалом для здійснення стабільного в часі зарядового запису інформації надвисокої щільності під зондом атомно-силового мікроскопа. Для надання шарам оксиду з нанокристалами Si необхідних властивостей повинні бути дотримані знайдені умови приготування. Проведено експеримент по знаходженню оптимальних режимів проведення топографічних та електростатичних вимірів у вакуумі. Опис продукції Автори роботи Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити
НДДКР ОК
Керівник: Каневський Василій Іванович. Розробка зондових (АСМ - атомна силова мікроскопія, СТМ - скануюча тунельна мікроскопія) методів направленого формування електричних якостей напівпровідникових наноструктур. (Етап: ). Закрите акціонерне товариство "Науково-виробничий концерн "Наука". № 0207U000158
Знайдено документів: 1

Оновлено: 2026-03-27