Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0207U000854, 0103U008759 , Науково-дослідна робота Назва роботи Розроблення технології вирощування напівпровідникових монокристалів групи A2 B6 з домішками для лазерів інфрачервоного діапазону з перестроюваною частотою Назва етапу роботи Керівник роботи Комар Віталій Корнійович, Дата реєстрації 13-02-2007 Організація виконавець Інститут монокристалів НТК "Інститут монокристалів" Національної академії наук України Опис етапу Встановлено, що вирощування кристалів ZnSe:Cr з розплаву методм Бриджмена під тиском аргону в оригінальній багатозонній ростовій установці дозволяє отримати кристалічний матеріал, який відповідає вимогам до елементів лазерної оптики. Впроваджено технологію легування, що дозволяє одержувати лазерні кристали ZnSe:Cr з оптимальною концентрацією домішки Cr (прибл.10 в 18 см(-3)). На лазерному елементі з кристалу ZnSe:Cr отримана перестроювана генерація у діапазоні 2100... 2500 нм із енергією імпульсу в максимумі близько 5мДж. Технологічні дослідження вперше підсумовано у методиці вирощування кристалів ZnSe:Cr для твердотільних лазерів середнього ІЧ діапазону, що перестроюються. Опис продукції Автори роботи Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити