Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0207U000968, 0106U010133 , Науково-дослідна робота Назва роботи Розробка техпроцесів виготовлення та дослідження тестових зразків діодних структур на основі епітаксійних структур III-нітридів. Назва етапу роботи Керівник роботи Болтовець Микола Силович, Дата реєстрації 16-02-2007 Організація виконавець Державне підприємство Науково-дослідний інститут "Оріон" Опис етапу Розроблені науково-технічні рішення для створення техпроцесів виготовлення діодних структур на основі епітаксійних структур III-нітридів, виготовлені та досліджені тестові зразки діодних структур на основі епітаксійних структур III-нітридів. Технологія виготовлення діодів Ганна базувалася на епітаксіальні структури нітрида галію типу n+-n-n+, вирощених на сапфіровій монокристалічній підкладці. Товщина шарів дорівнювала 0,3 мкм, 2,5 мкм і 2,5 мкм з концентрацією носіїв заряду 5-7·10^18см^-3, 1·10^17см^-3 та 5-7·10^18см^-3 відповідно. Опис продукції Автори роботи Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити