Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0207U002303, 0103U002180 , Науково-дослідна робота Назва роботи Радикальна хеміепітаксія наношарів на поверхні елементарних і двокомпонентних напівпровідників. Назва етапу роботи Керівник роботи Яновський О.С., Дата реєстрації 23-01-2007 Організація виконавець Запорізький національний університет Опис етапу Розглянуто процеси росту кремнієвих плівок на поверхні Si(100), отриманих методом CVD. Проведено експериментальні дослідження впливу радикалів газової фази на поверхню InP. В роботі розглянуто отримання тонких плівок GaN на підкладках GaAs шляхом обробки останніх в активних радикалах азоту й дослідження їхніх структур. Представлені результати квантовохімічних розрахунків поверхонь однокомпонентних напівпровідників Ge (100), Si(100), розрахунків адсорбції Al на кластерах, що моделюють упорядковані поверхні Ge (100) - (2х1). Розраховані адсорбційні бар'єри, енергії зв'язку адсорбованої частки з поверхнею, електронні характеристики поверхонь. За результатами досліджень видано 8 статей, зроблено 11 доповідей, розроблено 2 курси лекцій, захищено 1 кандидатську дисертацію. Опис продукції Автори роботи Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити