Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0207U004636, 0104U003884 , Науково-дослідна робота Назва роботи "Дослідження процесів генерації і трансформації радіаційних дефектів в кремнії і бінарних напівпровідниках" Назва етапу роботи Керівник роботи Литовченко Петро Григорович, Дата реєстрації 12-06-2007 Організація виконавець Інститут ядерних досліджень НАН України Опис етапу Знайдено, що введення германію підвищує радіаційну стійкість n-Si приблизно у 7 разів. Показано, що відпал кластерів дефектів пов'язаний з анігіляцією вакансійного типу дефектів у кластерах з міжвузловими дефектами. Показано, що опромінення гамма-квантами 60Co та електронами з Е=1 МеВ спричиняєдеградацію свічення GaP, яка обумовлена введенням безвипромінювальних рівнів радіаційних дефектів. Показано, що сонячні елементи з полі-Si зернової структури більш радіаційно стійкі до швидких нейтронів, ніж подібні елементи з монокристалічного Si. Опис продукції Автори роботи Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити