Знайдено документів: 1
Інформація × Реєстраційний номер 0208U000316, 0107U005749 , Науково-дослідна робота Назва роботи Розробка технології отримання тонких плівок SiC та створення на їх основі мікро-електромеханічних структур та світловипромінюючих приладів Назва етапу роботи Керівник роботи Лисенко Володимир Сергійович, Дата реєстрації 23-01-2008 Організація виконавець Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України Опис етапу Відпрацьовано технологію осадження плівок негідрогенізованого та гідрогенізованого аморфного карбіду кремнію методом магнетронного розпилення, а також досліджено структурні, люмінесцентні та механічні властивості цих плівок. Були встановлені оптимальні умови термообробок для отримання максимальної ефективності фотолюмінесценції. Опис продукції Автори роботи Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити
НДДКР ОК
Керівник: Лисенко Володимир Сергійович. Розробка технології отримання тонких плівок SiC та створення на їх основі мікро-електромеханічних структур та світловипромінюючих приладів. (Етап: ). Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України. № 0208U000316
Знайдено документів: 1

Оновлено: 2026-03-28