Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0208U000813, 0105U001127 , Науково-дослідна робота Назва роботи Низькотемпературне отримання плівок на основі карбіду кремнію і вуглецю в умовах осадження іонів низьких енергій Назва етапу роботи Керівник роботи Семенов Олександр Володимирович, Дата реєстрації 20-02-2008 Організація виконавець Інститут монокристалів НТК "Інститут монокристалів" Національної академії наук України Опис етапу Модернізовано конструкцію іонно-плазмової установки, що дозволяє досягнути швидкості осадження плівок 1мкм/хв на діаметрі 5см. В умовах прямого осадження іонів С та Si з енергіями 90-100еВ при температурах від 700 до 1000 гр. С у плівці росте кубічний політип карбіду кремнію. При температурах підкладки, що перевершують 1000гр.С, переважно росте ромбоедричний політип карбіду кремнію а-SiC 21R. Вміст 3C-SiC нанокристалічної фази досягає 80 at.% при 950 гр С. Розміри SiC кристалітів залежать від температури підкладки й змінюються від 4-5 до 8-10 нм у диапазоні температур від 700до 950 гр.С. При температурі підкладки 1020гр.С росте нанокристалічна плівка карбіду кремнію ромбоедричної модифікації зі змістом ~80 % кристалічної фази із середнім розміром кристалітів 10-12нм Опис продукції Автори роботи Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити