Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0208U004851, 0108U010726 , Науково-дослідна робота Назва роботи Нанокомпозитні тонкі плівки в металізації напівпровідникових приладів на основі нітриду галію та карбіду кремнію для високопотужної електроніки Назва етапу роботи Керівник роботи Кучук Андріан Володимирович, Дата реєстрації 23-12-2008 Організація виконавець Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України Опис етапу В рамах проекту розроблено стабільні системи контактної металізації до SiC та GaN, на основі трикомпонентних Ta(Ti)-Si-N дифузійних бар'єрів. Багаторівнева система металізації складається з монтажного шару Au, дифузійного бар'єру Ta(Ti)-Si-N (< 100 нм) та контактних плівок Au-, Pd- до GaN, та Ni-, Si- до SiC. Опис продукції Автори роботи Додано в НРАТ 2020-04-03 Закрити