Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0208U006680, 0107U005421 , Науково-дослідна робота Назва роботи Природа дефектів радіаційного походження і їх вплив на електричні, оптичні і фотоелектричні властивості бінарних халькогенідних напівпровідників групи AIIBVI Назва етапу роботи Керівник роботи Давидюк Георгій Євлампійович, Дата реєстрації 18-12-2008 Організація виконавець Волинський національний університет імені Лесі Українки Опис етапу Встановлено, що більш радіаційно стійким за своїми оптичними властивостями стосовно рентгенівського опромінення є нелеговані, малодефектні монокристали CdS, що відкриває перспективу їх використання як базових матеріалів, стійких до рентгенівської радіації електронних і оптоелектронних приладів, датчиків і дозиметрів рентгенівського випромінювання. Монокристали AgCd2GaS4 є фоточутливими матеріалами, що робить їх перспективними для створення на їх основі радіаційно-стійких датчиків електромагнітного випромінювання, гетеропереходів фоточутливих у видимій і ближній інфрачервоній області спектру. Опис продукції Автори роботи Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити