Знайдено документів: 1
Інформація × Реєстраційний номер 0209U001727, 0106U000659 , Науково-дослідна робота Назва роботи Розробка нових підходів до вирощування напівпровідникових кристалів групи А2В6 з метою досягнення їх найвищих експлуатаційних характеристик Назва етапу роботи Керівник роботи Комар Віталій Корнійович, Дата реєстрації 03-03-2009 Організація виконавець Інститут монокристалів НАН України Опис етапу Розроблено новий принцип керування температурою в зоні кристалізації установки із двома незалежними нагрівачами теплового вузла для вирощування детекторниз кристалів CdZnTe. розроблено технологічну схему, що забезпечує відтворюваність властивостей вирощуваних кристалів CdZnTe спектрометричної якості. Завершено розробку технологічного процесу вирощування кристалів ZnSe:Cr2+ з оптимальною концентрацією домішки Cr. Технологія дозволяє одержувати активні елементи лазерів середнього ІЧ діапазону із ККД у безперервному й імпульсному режимаз генерації 66% і 70% відповідно. Уперше досліджені оптичні й лазерні характеристики зразків монокристалів ZnMgSe:Cr2+. За результатами досліджень цей матеріал запропановано у якості нового активного лазерного середовища для лазерів ІЧ діапазону Опис продукції Автори роботи Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити
НДДКР ОК
Розробка нових підходів до вирощування напівпровідникових кристалів групи А2В6 з метою досягнення їх найвищих експлуатаційних характеристик
Керівник: Комар Віталій Корнійович. Розробка нових підходів до вирощування напівпровідникових кристалів групи А2В6 з метою досягнення їх найвищих експлуатаційних характеристик. (Етап: ). Інститут монокристалів НАН України. № 0209U001727
Знайдено документів: 1

Оновлено: 2026-03-28


Роздрукувати цю сторінку