Реєстраційний номер
0209U002470,
0106U000657
, Науково-дослідна робота
Назва роботи
Нові принципи, методи і засоби одержання, дослідження і характеризації напівпровідникових матеріалів і структур, створення елементної бази перспективної напівпровідникової електронної техніки, в т. ч. на основі нових фізичних явищ
Назва етапу роботи
Керівник роботи
В.Ф. Мачулін,
Дата реєстрації
12-02-2009
Організація виконавець
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України
Опис етапу
РЕФЕРАТ Звіт про НДР: 1471с., 3 частини, 1 додаток , 354 рис., 25 табл., 559 посилань. Об'єкт дослідження та розроблення: нові принципи, методи і засоби одержання, дослідження і характеризації напівпровідникових матеріалів і структур; елементна база перспективної напівпровідникової електронної техніки, в т. ч. на основі нових фізичних явищ. Мета та результати роботи: розроблені нові принципи, методи і засоби одержання, дослідження і характеризації напівпровідникових матеріалів і структур, створена елементна база перспективної напівпровідникової електронної техніки, в т. ч. на основі нових фізичних явищ. Дана робота представляє собою комплекс досліджень та розробок, які передбачали, зокрема: розробку основ терагерцової електроніки; розробку функціональних приладів опто - і мікроелектроніки на базі нових шаруватих і композитних матеріалів та розробку методів контролю і характеризації їх параметрів; розробку методик радіоспектроскопічної та оптичної діагностики змін характеристик напівпровідниковихі діелектричних матеріалів та структур під дією активних впливів; технологічні дослідження по одержанню та модифікації напівпровідникових структур на основі сполук А2В6, полімерів та елементарних напівпровідників для створення фотоперетворювачів; розробку оптимізованих технологій отримання нанокомпозитів та періодичних нанорозмірних структур на принципах керованої самоорганізації та створення макетів приладних систем на їх основі; розробку нових методів Х-променевої та скануючої зондової діагностики напівпровідникових наноструктур; розробку пасивних та активних елементів та технологій ІЧ - техніки; розробку нових багатофункціональних матеріалів для сенсорної електроніки на основі напівпровідникових гетероструктур Ge-GaAs. Результати НДР є принципово важливими для створення сучасних технологій отримання напівпровідникових матеріалів і структур та елементної бази для потреб мікро-, опто- і фотоелектронної техніки. ОПТОЕЛЕКТРОНІКА, ФОТОЕЛЕКТРОНІКА, НАПІВПРОВІДНИКОВІ НАНОРОЗМІРНІ СТРУКТУРИ, АКУСТИЧНА ЕМІСІЯ, ІЧ-ФОТОДЕТЕКТОРИ, НАПІВРОВІДНИКОВІ ФОТОННІ КРИСТАЛИ, НАНОПОКРИТТЯ, НАНОКОМПОЗИТИ, ГЕТЕРУВАННЯ, ФОТОПЕРЕТВОРЮВАЧІ, НАНОСТРУКТУРИ, ГЕТЕРОСТРУКТУРИ, СЕНСОРИ, ОПТОЕЛЕКТРОННІ ПЕРЕТВОРЮВАЧІ. Умови одержання звіту : за договором. 252171, Київ-171, вул. Антоновича, 180, УкрІНТЕІ.
Опис продукції
Автори роботи
Додано/оновлено в НРАТ
2020-04-02
