Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0209U005054, 0106U012285 , Науково-дослідна робота Назва роботи Формування нанорозмірних епітаксійних шарів силіциду Mn4Sі7 на монокристалічному кремнії Назва етапу роботи Керівник роботи Сидоренко Сергій Іванович, Доктор фізико-математичних наук Дата реєстрації 14-01-2009 Організація виконавець Національний технічний університет України "Київський політехнічний інститут", інженерно фізичний факультет Опис етапу За допомогою комплексно застосованих сучасних методів фізичного матеріалознавства - рентгенофазового, рентгено-структурного, резистометричного аналізів, просвічувальної електронної мікроскопії поперечних перерізів, растрової електронної мікроскопії, резерфордівського зворотнього розсіяння досліджено умови формування методом шаблону в плівковій системі (Mn+Si)/Si(001) епітаксійної плівки Mn4Si7 за товщин проміжного шару Mn - 0,1-1,6 нм. Встановлено закономірності змін фазового складу та електрофізичних властивостей плівок. Встановлено, що використання проміжного шару Mn завтовшки 0,8 нм сприяє зростанню більш однорідних, закритих силіцидних шарів Mn4Si7. Для зразків з товщиною tMn = 0,8 нм методом просвічувальної електронної мікроскопії встановлено існування зерен Mn4Si7 з переважною орієнтацією (110)[4 1]Mn4Si7¦(001)[110]Si. Загальна товщина силіцидного шару складала до 50 нм. Отримані результати та встановлені закономірності мають практичний інтерес для вдосконалення режимів одержання та режимів термообробки при створенні потрібних структурно-фазових станів у тонкоплівкових технологіях електронної промисловості, а також в галузі нанотехнологій. Опис продукції Автори роботи Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити