Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0209U008182, 0107U005660 , Науково-дослідна робота Назва роботи Дослідження та створення джерел надвисокочастотного випромінювання в субміліметровому діапазоні на базі багатошарових напівпровідникових структур, у тому числі на основі GaAs/ Al As, Ga/Al двобар'єрних квантових наноструктур Назва етапу роботи Керівник роботи Карушкін Микола Федорович, Дата реєстрації 29-01-2009 Організація виконавець Державне підприємство Науково-дослідний інститут "Оріон" Опис етапу Відомо, що параметри напівпровідникових приладів різко погіршуються із зростанням частоти, особливо в області частот понад 100 ГГц. На цих частотах застосовуються малопотужні генератори Ганна або ГЛПД з використанням варакторних помножувачів частоти. На частотах більше 200 ГГц практична реалізація таких джерел потужності утруднена. Досліджений вплив довжини кристала і параметрів зовнішньої електродинамічної системи (добротності і провідності навантаження) на енергетичні характеристики помножувача. В роботі розроблені і виготовлені експериментальні зразки джерела НВЧ-потужності в діапазоні частот 150-200 ГГц з вихідною потужністю 10-5 мВт на основі багатошарових напівпровідникових кремнієвих лавинно-пролітних структур з негативною провідністю з використанням радіоімпульсного перетворення частоти високостабільного сигналу. Опис продукції Автори роботи Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити