Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0210U000103, 0107U001095 , Науково-дослідна робота Назва роботи Ультрафіолетові лазери на основі нанопоруватого GaAs Назва етапу роботи Керівник роботи Кідалов Валерій Віталійович, Доктор фізико-математичних наук Дата реєстрації 20-01-2010 Організація виконавець Бердянський державний педагогічний університет Опис етапу Отримані плівки GaN кубічної та гексагональної модифікацій, можуть бути застосовані, як підкладки для подальшого виготовлення гетероструктур для над'яскравих світлодіодів, фотодіодів, сенсорів, HEMT-транзисторів, лазерів, що випромінюють в ультрафіолетовій області спектру тощо. 2. Гетероструктури "нітрид третьої групи/монокристал А3В5 " (типу GaN/GaAs, GaN/GaP) чи поруватий А3В5 (типу GaN/por-GaAs, GaN/por-GaP) для виготовлення високоефективних фотоперетворювачів (фотодетекторів, випромінювачів та фільтрів) ближнього ІЧ, видимого та УФ діапазонів спектру на основі багатошарових структур. Опис продукції Гетероструктури "нітрид третьої групи/монокристал А3В5 " (типу GaN/GaAs, GaN/GaP) чи поруватий А3В5 (типу GaN/por-GaAs, GaN/por-GaP) отримані для виготовлення високоефективних фотоперетворювачів (фотодетекторів, випромінювачів та фільтрів) ближнього ІЧ, видимого та УФ діапазонів спектру Автори роботи Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити