Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0210U001414, 0108U009682 , Науково-дослідна робота Назва роботи "Розроблення та організація виробництва високовольтних SiC p-і-n діодів для сантиметрового та міліметрового діапазону довжин хвиль", Назва етапу роботи Керівник роботи Болтовець Микола Силович, Дата реєстрації 11-02-2010 Організація виконавець Державне підприємство Науково-дослідний інститут "Оріон" Опис етапу За результатами виконання ДТР розроблені конструкторсько-технологічні рішення для створення корпусованих високовольтних швидкодіючих НВЧ карбідкремнієвих p-i-n діодів з пробивною напругою не менше 500 В, які забезпечують підвищення швидкості перемикання НВЧ модулів у 20-50 разів і підвищення їх максимально-допустимої температури з 80-120°С до 300-400°С в порівнянні з кремнієвими p-i-n діодами. Опис продукції Розроблені конструкторсько-технологічні рішення для створення корпусованих високовольтних швидкодіючих НВЧ карбідкремнієвих p-i-n діодів з пробивною напругою не менше 500 В, які в порівнянні з кремнієвими p-i-n діодами, забезпечують підвищення швидкості перемикання НВЧ модулів у 20-50 разів і підвищення їх максимально-допустимої температури з 80-120°С до 300-400°С . Автори роботи В.А. Кривуца В.В. Басанець К.О. Личман Л.В. Журавель Л.К. Птушкін Л.М. Суворова М.І. Миколаєнко М.С. Болтовець Н.А. Казюка Н.Я. Урицька О.С. Слєпова Т.І. Голинна Т.В. Коростинська Т.М. Лєдєньова Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити