Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0210U001491, 0109U005592 , Науково-дослідна робота Назва роботи Вакуумно-плазмовий модуль для технологічного комплексу виготовлення елементарної бази наноелектроніки та мікроелектроніки Назва етапу роботи Керівник роботи Руденко Едуард Михайлович, Дата реєстрації 22-02-2010 Організація виконавець Інститут металофізики ім. Г. В. Курдюмова НАН України Опис етапу Об'єкт дослідження - процеси прецизійного розмірного травлення з використанням джерел плазми на основі індукційного ВЧ розряду в магнітному полі (геліконні джерела) та ємнісного електродного ВЧ розряду з поперечним магнітним полем (ВЧ магнетронне джерело). Мета роботи - розробка та виготовлення спеціалізованої технологічної вакуумної установки - вакуумно-плазмового модуля, призначеного для формування елементної бази наноелектроніки та топології наноприладів, термоемісійних джерел, елементів перетворення сонячної та теплової енергії в електричну. В результаті виконання проекту створена спеціалізована технологічна установка прецизійного розмірного травлення та багатофункціональної іонно-плазмової обробки - вакуумно-плазмовий модуль, який оснований на дворозрядній системі, що складається з джерела високоселективного плазмохімічного травлення і джерела високоанізотропного реактивно-іонного травлення. В установці джерелом хімічно активних радикалів слугує геліконний розряд, а джерелом високоінтенсивного іонного потоку з незалежно регульованими густиною та енергією - ємнісний електродний ВЧ розряд з поперечним магнітним полем. Робоча частота модуля - 13,56 МГц. Така комбінація джерел плазми в установці прецизійного травлення не має аналогів і завдяки високій густині плазми забезпечує в 10 - 100 разів більшу швидкість дисоціації молекулярних газів та інтенсивність іонних потоків на функціональний виріб, ніж в традиційних установках на основі індукційних (ICP) розрядів (установка Plasmafab System 100 з джерелом плазми ICP 380, фірма OXFORD INSTRUMENTS (Великобританія). Джерела плазми вакуумно-плазмового модуля сумісні за робочим тиском, забезпечують одночасну дію на виріб потоків хімічно активної радикальної та іонної компонент з незалежним регулюванням їх параметрів. Тому тільки така система може забезпечети стабільність технологічного процесу прецизійного травлення та високий вихід придатних виробів. Вакуумно-плазмовий модуль є технологічною складовою (другим модулем) комплексу виготовлення елементної бази наноелектроніки та мікроенергетики, що функціонально включає в себе два модуля. Перший модуль, призначений для синтезу наноструктурованих функціональних шарів, був створений та впроваджений у рамках інноваційного проекту НАН України №23 в 2008 році. Використання у вакуумно-плазмовому технологічному комплексі високоефективних геліконних джерел забезпечує у 3-5 разів менше енергоспоживання, ніж у відомого на міжнародному ринку обладнання. Вакуумне технологічне обладнання з такими можливостями на міжнародному ринку високотехнологічної продукції на сьогодні відсутнє. Ключові слова: геліконне джерело плазми, ємнісне ВЧ магнетронне джерело плазми, іонно-плазмові технології, вакуумно-технологічне обладнання, нано- і мікроелектроніка. Опис продукції В результаті виконання проекту створена спеціалізована технологічна установка прецизійного розмірного травлення та багатофункціональної іонно-плазмової обробки - вакуумно-плазмовий модуль (ВПМ), який оснований на дворозрядній системі, що складається з джерела високоселективного плазмохімічного травлення і джерела високоанізотропного реактивно-іонного травлення. Автори роботи Вірко В.Ф. Короташ І. В. Краковний А.О. Мірошніченко М.М. Носков В.Л. Осипов Л.С. Полоцький Д.Ю. Реут В.М. Самородіна І.О. Семенюк В.Ф. Семенюк Н.І. Слободян В.М. Супоровський О.Я. Шамрай К.П. Якименко О.І. Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити